檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Layered semiconductor".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="二硫化鉬"
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本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層，使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
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本論文探討奈米多層結構的二硫化鉬(MoS2)層狀半導體之表面電子聚集效應及其電傳輸特性。本實驗利用機械剝離法產生MoS2奈米結構，發現其電導率與塊材相比高出幾個數量級。透過變溫電導率量測觀察到奈米結…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…